MJD112-1G

MJD112-1G

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - 단일

설명

POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, 10

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    NPN - Darlington
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    2 A
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    100 V
  • vce 포화(최대) @ ib, ic
    3V @ 40mA, 4A
  • 전류 - 컬렉터 차단(최대)
    20µA
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    1000 @ 2A, 3V
  • 힘 - 최대
    1.75 W
  • 주파수 - 전환
    25MHz
  • 작동 온도
    -65°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • 공급업체 장치 패키지
    I-PAK

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