NE5550779A-T1-A

NE5550779A-T1-A

제조업체

Rochester Electronics

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - rf

설명

RF POWER N-CHANNEL, MOSFET

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 트랜지스터 유형
    LDMOS
  • 빈도
    900MHz
  • 얻다
    22dB
  • 전압 - 테스트
    7.5 V
  • 현재 정격(암페어)
    2.1A
  • 잡음 지수
    -
  • 현재 - 테스트
    140 mA
  • 전력 - 출력
    38.5dBm
  • 전압 - 정격
    30 V
  • 패키지/케이스
    4-SMD, Flat Leads
  • 공급업체 장치 패키지
    79A

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