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NTHS2101PT1
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명세서
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시리즈-
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패키지Bulk
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부품 상태Obsolete
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펫 유형P-Channel
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기술MOSFET (Metal Oxide)
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드레인-소스 전압(vdss)8 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c5.4A (Tj)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)1.8V, 4.5V
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(최대) @ id, vgs의 rds25mOhm @ 5.4A, 4.5V
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vgs(th) (최대) @ id1.5V @ 250µA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs30 nC @ 4.5 V
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vgs(최대)±8V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds2.4 pF @ 6.4 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)1.3W (Ta)
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작동 온도-
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장착 유형Surface Mount
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공급업체 장치 패키지ChipFET™
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패키지/케이스8-SMD, Flat Lead
