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명세서
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시리즈-
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패키지Tray
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부품 상태Active
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펫 유형N-Channel
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기술SiCFET (Silicon Carbide)
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드레인-소스 전압(vdss)1200 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c400A (Tc)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)-
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(최대) @ id, vgs의 rds-
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vgs(th) (최대) @ id5.6V @ 106.8mA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs-
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vgs(최대)+22V, -4V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds17000 pF @ 10 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)1570W (Tc)
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작동 온도175°C (TJ)
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장착 유형Chassis Mount
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공급업체 장치 패키지Module
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패키지/케이스Module
