R6035ENZ1C9

R6035ENZ1C9

제조업체

ROHM Semiconductor

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET N-CH 600V 35A TO247

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    600 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    35A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    102mOhm @ 18.1A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    4V @ 1mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    110 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    2720 pF @ 25 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    120W (Tc)
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247
  • 패키지/케이스
    TO-247-3

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