RGTVX6TS65GC11

RGTVX6TS65GC11

제조업체

ROHM Semiconductor

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 단일

설명

650V 80A FIELD STOP TRENCH IGBT

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    650 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    144 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(icm)
    320 A
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    1.9V @ 15V, 80A
  • 힘 - 최대
    404 W
  • 스위칭 에너지
    2.65mJ (on), 1.8mJ (off)
  • 입력 유형
    Standard
  • 게이트 요금
    171 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c
    45ns/201ns
  • 테스트 조건
    400V, 80A, 10Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    -
  • 작동 온도
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    TO-247-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-247N

RGTVX6TS65GC11 조회를 요청하다

재고 8440
수량:
단가(참고가격):
6.59000
목표 주가:
총:6.59000

데이터 시트