명세서

• 시리즈
  -
• 패키지
  Tube
• 부품 상태
  Active
• 펫 유형
  N-Channel
• 기술
  SiCFET (Silicon Carbide)
• 드레인-소스 전압(vdss)
  1200 V
• 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
  31A (Tc)
• 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
  18V
• (최대) @ id, vgs의 rds
  104mOhm @ 10A, 18V
• vgs(th) (최대) @ id
  5.6V @ 5mA
• 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
  60 nC @ 18 V
• vgs(최대)
  +22V, -4V
• 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
  785 pF @ 800 V
• fet 기능
  -
• 전력 손실(최대)
  165W
• 작동 온도
  175°C (TJ)
• 장착 유형
  Through Hole
• 공급업체 장치 패키지
  TO-247-4L
• 패키지/케이스
  TO-247-4