STGWT60H65DFB

STGWT60H65DFB

제조업체

STMicroelectronics

제품 카테고리

트랜지스터 - igbt - 단일

설명

IGBT 650V 80A 375W TO3P-3L

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • IGBT 유형
    Trench Field Stop
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    650 V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    80 A
  • 전류 - 콜렉터 펄스(icm)
    240 A
  • vce(on) (최대) @ vge, ic
    2V @ 15V, 60A
  • 힘 - 최대
    375 W
  • 스위칭 에너지
    1.09mJ (on), 626µJ (off)
  • 입력 유형
    Standard
  • 게이트 요금
    306 nC
  • td(켜기/끄기) @ 25°c
    51ns/160ns
  • 테스트 조건
    400V, 60A, 5Ohm, 15V
  • 역회복 시간(trr)
    60 ns
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    TO-3P-3, SC-65-3
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-3P

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재고 7697
수량:
단가(참고가격):
4.42000
목표 주가:
총:4.42000

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