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TC58BYG2S0HBAI6
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명세서
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시리즈Benand™
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패키지Tray
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부품 상태Active
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메모리 유형Non-Volatile
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메모리 포맷FLASH
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기술FLASH - NAND (SLC)
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메모리 크기4Gb (512M x 8)
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메모리 인터페이스Parallel
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클럭 주파수-
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쓰기 사이클 시간 - 단어, 페이지25ns
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액세스 시간25 ns
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전압 - 공급1.7V ~ 1.95V
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작동 온도-40°C ~ 85°C (TA)
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장착 유형Surface Mount
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패키지/케이스67-VFBGA
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공급업체 장치 패키지67-VFBGA (6.5x8)
