MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

제조업체

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

제품 카테고리

트랜지스터 - 바이폴라(bjt) - rf

설명

RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 트랜지스터 유형
    NPN
  • 전압 - 컬렉터 이미터 고장(최대)
    6V
  • 주파수 - 전환
    8GHz
  • 잡음 지수(db typ @ f)
    1.25dB @ 1GHz
  • 얻다
    10.5dB
  • 힘 - 최대
    1W
  • dc 전류 이득(hfe)(최소) @ ic, vce
    200 @ 30mA, 5V
  • 전류 - 콜렉터(ic)(최대)
    100mA
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 패키지/케이스
    TO-243AA
  • 공급업체 장치 패키지
    PW-MINI

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