SSM6J501NU,LF

SSM6J501NU,LF

제조업체

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET P-CH 20V 10A 6UDFNB

명세서

  • 시리즈
    U-MOSVI
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    P-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    20 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    10A (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    1.5V, 4.5V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    15.3mOhm @ 4A, 4.5V
  • vgs(th) (최대) @ id
    1V @ 1mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    29.9 nC @ 4.5 V
  • vgs(최대)
    ±8V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    2600 pF @ 10 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    1W (Ta)
  • 작동 온도
    150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 공급업체 장치 패키지
    6-UDFNB (2x2)
  • 패키지/케이스
    6-WDFN Exposed Pad

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