TK17A80W,S4X

TK17A80W,S4X

제조업체

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS

명세서

  • 시리즈
    DTMOSIV
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    800 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    17A (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    290mOhm @ 8.5A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    4V @ 850µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    32 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    2050 pF @ 300 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    45W (Tc)
  • 작동 온도
    150°C
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220SIS
  • 패키지/케이스
    TO-220-3 Full Pack

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재고 8267
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단가(참고가격):
4.02000
목표 주가:
총:4.02000

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