TK650A60F,S4X

TK650A60F,S4X

제조업체

Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET N-CH 600V 11A TO220SIS

명세서

  • 시리즈
    U-MOSIX
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    600 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    11A (Ta)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    650mOhm @ 5.5A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    4V @ 1.16mA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    34 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    ±30V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    1320 pF @ 300 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    45W (Tc)
  • 작동 온도
    150°C
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220SIS
  • 패키지/케이스
    TO-220-3 Full Pack

TK650A60F,S4X 조회를 요청하다

재고 15063
수량:
단가(참고가격):
1.41000
목표 주가:
총:1.41000

데이터 시트