TPD3215M

TPD3215M

제조업체

Transphorm

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이

설명

GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Bulk
  • 부품 상태
    Obsolete
  • 펫 유형
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet 기능
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    600V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    70A (Tc)
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    34mOhm @ 30A, 8V
  • vgs(th) (최대) @ id
    -
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    28nC @ 8V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    2260pF @ 100V
  • 힘 - 최대
    470W
  • 작동 온도
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Through Hole
  • 패키지/케이스
    Module
  • 공급업체 장치 패키지
    Module

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재고 1194
수량:
단가(참고가격):
175.13000
목표 주가:
총:175.13000

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