VS-C08ET07T-M3

VS-C08ET07T-M3

제조업체

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

제품 카테고리

다이오드 - rf

설명

SILICON CARBIDE DIODE - TO-220

명세서

  • 시리즈
    -
  • 패키지
    Tube
  • 부품 상태
    Active
  • 다이오드 유형
    Schottky - Single
  • 전압 - 피크 역방향(최대)
    650V
  • 현재 - 최대
    8 A
  • 커패시턴스 @ vr, f
    355pF @ 1V, 1MHz
  • 저항 @ if, f
    -
  • 전력 손실(최대)
    54 W
  • 작동 온도
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 패키지/케이스
    TO-220-2
  • 공급업체 장치 패키지
    TO-220AC

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