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SIDR680DP-T1-GE3
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명세서
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시리즈TrenchFET® Gen IV
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패키지Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
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부품 상태Active
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펫 유형N-Channel
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기술MOSFET (Metal Oxide)
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드레인-소스 전압(vdss)80 V
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전류 - 연속 배수(id) @ 25°c32.8A (Ta), 100A (Tc)
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구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)7.5V, 10V
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(최대) @ id, vgs의 rds2.9mOhm @ 20A, 10V
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vgs(th) (최대) @ id3.4V @ 250µA
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게이트 전하(qg)(최대) @ vgs105 nC @ 10 V
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vgs(최대)±20V
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입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds5150 pF @ 40 V
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fet 기능-
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전력 손실(최대)6.25W (Ta), 125W (Tc)
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작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
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장착 유형Surface Mount
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공급업체 장치 패키지PowerPAK® SO-8DC
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패키지/케이스PowerPAK® SO-8
