SIR624DP-T1-RE3

SIR624DP-T1-RE3

제조업체

Vishay / Siliconix

제품 카테고리

트랜지스터 - FET, MOSFET - 단일

설명

MOSFET N-CH 200V 5.7A/18.6A PPAK

명세서

  • 시리즈
    ThunderFET®
  • 패키지
    Tape & Reel (TR)
  • 부품 상태
    Active
  • 펫 유형
    N-Channel
  • 기술
    MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압(vdss)
    200 V
  • 전류 - 연속 배수(id) @ 25°c
    5.7A (Ta), 18.6A (Tc)
  • 구동 전압(최대 rds 켜짐, 최소 rds 켜짐)
    7.5V, 10V
  • (최대) @ id, vgs의 rds
    60mOhm @ 10A, 10V
  • vgs(th) (최대) @ id
    4V @ 250µA
  • 게이트 전하(qg)(최대) @ vgs
    30 nC @ 10 V
  • vgs(최대)
    ±20V
  • 입력 커패시턴스(ciss)(최대) @ vds
    1110 pF @ 100 V
  • fet 기능
    -
  • 전력 손실(최대)
    5W (Ta), 52W (Tc)
  • 작동 온도
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형
    Surface Mount
  • 공급업체 장치 패키지
    PowerPAK® SO-8
  • 패키지/케이스
    PowerPAK® SO-8

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